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金属–氧化物–半导体晶体管（MOSFET）是一种采用平面技术制造的场效应晶体管，广泛应用于大规模及超大规模集成电路中
。作为半导体器件领域的核心技术之一，MOSFET主要用作二进制计算的逻辑电路，在数字电子设备中发挥关键作用。根据工作机制的不同，MOSFET可分为增强型和耗尽型两类，以适应不同的电路设计需求
。该技术通过控制栅极电压来调节源极和漏极之间的导电通道，从而实现电流的开关与放大功能。
截至2020年12月17日，MOSFET根据阈值电压特性分为增强型和耗尽型两类
MOSFET是大规模及超大规模集成电路中采用得最为广泛的半导体器件，其高集成度、低功耗和高可靠性使其成为现代微电子技术的基石
。尤其在数字逻辑电路中，MOSFET的开关特性为二进制计算提供了物理基础。
平面制造技术通过光刻、氧化、掺杂等工艺步骤，在半导体晶圆表面逐层构建晶体管结构
。这一工艺的持续改进推动着集成电路的微型化，从微米级向纳米级演进，不断提升器件性能并降低生产成本。
